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在工业自动化领域,MPM480E22B1C1A压力变送器的测量范围选择直接影响系统精度与稳定性。本文针对技术评估人员的核心需求,深入解析扩散硅液体气体压力传感器的3个关键选型要素,帮助您规避GPD-GPD25、DW803等型号常见的测量误差问题,确保设备在10MPa等严苛工况下的长期可靠运行。
MPM480E22B1C1A压力变送器采用扩散硅压阻原理,当介质压力作用于敏感元件时,硅膜片产生形变导致惠斯通电桥电阻值变化,通过信号调理电路输出标准4-20mA信号。其测量范围(如0-10MPa)需严格匹配实际工况,DW803-10MPa-C-1-A-Z-0-3等型号的典型失误包括:未预留20%过载余量、忽略介质温度对硅芯片的影响等。根据ISO 9001标准建议,测量上限应满足:**工作压力≤80%量程,峰值压力≤110%量程。
对于DG1300-BZ-A-2-35/FC/GZ等液体测量场景,需考虑介质粘度对压力传递的影响:高粘度流体建议选择膜片式结构,量程下限不低于5kPa;气体测量则需关注26.600G-X102-R-1-8-100-R40-1-000型号的微压区线性度(±0.1%FS)。西安盛弘创的工程数据库显示,80%的GPD-GPD25选型失误源于未区分气体/液体专用型号。
扩散硅传感器的温度漂移直接影响MPM480E22B1C1A在-40~125℃工况下的精度。对比测试表明:未配置数字补偿的DW803系列在60℃时误差达0.5%/10K,而采用ASIC温度补偿芯片的MPM480E22B1C1A可控制在0.05%/10K以内。建议技术评估人员要求供应商提供完整的温度-精度曲线图。
根据IEC 60770标准,优质扩散硅传感器的年漂移量应<±0.1%FS。西安盛弘创对DG1300-BZ-A-2-35/FC/GZ的2000小时加速老化测试显示:采用激光修调工艺的传感器寿命延长3倍,在10MPa连续工作条件下仍保持0.075%精度。
A:该型号采用传统应变片技术,在<1kPa量程时受安装应力影响显著。建议改用MPM480E22B1C1A的MEMS硅芯片结构,其对称设计可抵消机械应力干扰。
A:要求供应商提供:①IEC 60770加速老化报告 ②实际工况下的MTBF计算模型 ③同系列产品5年以上的现场数据。
作为西咸新区**技术企业,我们为MPM480E22B1C1A等产品提供:①军工级温度补偿算法 ②1000:1的量程比定制能力 ③72小时快速原型验证服务。已有300+客户通过我们的选型系统**匹配了DW803、GPD-GPD25等替代方案,平均降低采购成本18%。
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